全球碳化矽大廠「英飛凌Infineon」，先前已推出首款2000V CoolSiC蕭特基二極體，陸續又在「2024莫尼黑展」中，再次對外宣布，推出最新的晶圓技術成果「12吋氮化鎵晶圓」。英飛凌推出的這款2000V CoolSiC蕭特基二極體，可有效提高功率密度，以開發實現更高的功率水平，尤其在抗熱管理功能，更可達成降低熱阻與阻抗等影響。
總部位於德國「巴伐利亞洲」的英飛凌，長年積極推動「低碳化」與「數位化」進程，並致力於半導體相關系統的解決方案，以實現高效能，行動性與安全性為目標，成為目前全球電源系統與物聯網領域的半導體領導者。
「英飛凌Infineon」主要聚積於汽車工業以及消費性電子領域，產品項目包含微控制器、通訊、積體電路與電力電子等半導體相關元件材料。目前全球氮化鎵晶圓仍是以「8吋」為市場主流，英飛凌Infineon今日首次推出「12吋」晶圓，其為多年以來的技術研發成果，此項新產品發表，更是代表「氮化鎵功率」半導體技術，將邁向一個新的革命性里程碑。
