財經快訊、李振麟
全球半導體產業正邁向關鍵轉折點。隨著2026年人工智慧需求全面擴大，2 奈米製程量產時程日益明確，市場預期產業將正式跨入 GAAFET（環繞閘極）架構世代。
這也意味著，晶圓後段製程的重心將大幅轉向 2.5D/3D 異質整合封裝，帶動封測產業進入新一波高峰。』
市調機構集邦科技（TrendForce）分析，2 奈米製程商轉後將形成兩大進程 –
向內：追求更高電晶體密度｜向外：擴大封裝尺寸與堆疊深度
兩者相互推升，使得「異質整合」將成為下一代高效能運算（HPC）與 AI 加速器的核心競爭力。
在前段製程方面，晶片架構將從 FinFET 正式過渡到 GAAFET。透過閘極全包覆式結構強化對矽通道控制，GAAFET不僅提升電流效率，同時改善功耗，成為AI與HPC晶片提升能效的關鍵技術。
集邦更進一步指出，GAAFET 量產後將開啟晶片整合方式的全面革新。尤其是伴隨前段製程微縮極限逼近，系統性能提升將更仰賴後段的封裝優化。
2.5D 與 3D 封裝可將多顆晶片（Chiplets）以高密度方式疊層或拼接，其主要具備：更快的晶片間互連速度、更高記憶體/邏輯整合度、更低的功耗消耗、更彈性系統架構。
這樣功效成為資料中心 GPU、AI 訓練加速器與高效運算伺服器不可或缺主流技術。
今日隨著 2 奈米製程導入，台積電、英特爾、三星三大代工廠皆同步拉高先進封裝布局火力，形成技術與產能的全球競逐。
台積電（TSMC）— CoWoS / SoIC
英特爾（Intel）— EMIB / FOVEROS，其擁有業界最成熟的先進封裝平台，應用於 HPC 與 AI GPU。
三星（Samsung）— I-Cube / X-Cube，強調高通量封裝與 3D 堆疊能力，強化邏輯與記憶體整合。
隨著晶圓大廠全面布局前後段整合代工（Foundry + Advanced Packaging），未來競爭焦點將不再只是技術能力，而更是產能利用率、良率及成本與可靠度的綜合競爭力。
今日隨著 2 奈米 GAAFET 進入量產時間倒數、AI 晶片需求勢必急速擴大、資料中心升級週期啟動後，全球將加速邁向 Chiplet × 3D 堆疊 × 異質整合 的全新架構時代。
2025—2027年間，將可視為先進封裝需求爆發的關鍵窗口期，相關供應鏈上，也將迎來前所未見的投資與產能建置潮。
